Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057
Название: Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках
Авторы: Лопатин, Владимир Васильевич
Носков, М. Д.
Ключевые слова: предпробивные неустойчивости; конденсированные диэлектрики; открытые системы; инициирование; разрядные каналы; жидкие диэлектрики; твердые диэлектрики; электродинамика; стохастические уравнения; фазовый переход; плазма; энергия; физико-математические модели; моделирование; параметры; характеристики; развивающиеся разряды
Дата публикации: 2006
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Лопатин В. В. Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках / В. В. Лопатин, М. Д. Носков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 2. — [С. 64-69].
Аннотация: В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2006-309-2-13.pdf610,2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.