Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124
Название: Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах
Авторы: Анненков, Юрий Михайлович
Ключевые слова: высокотемпературная диффузия; радиационно-ускоренная диффузия; щелочно-галоидные кристаллы; теоретический анализ; механизмы; высокотемпературное облучение; радиационная тряска; дивакансионный механизм; ионизирующее облучение
Дата публикации: 2006
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Анненков Ю. М. Природа высокотемпературной радиационно-ускоренной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 3. — [С. 46-50].
Аннотация: Выполнен теоретический анализ механизмов радиационно-ускоренной диффузии при высокотемпературном облучении щелочно-галоидных кристаллов. Показано, что механизм радиационной тряски и дивакансионный механизм наиболее адекватно описывают экспериментальные результаты по ускорению высокотемпературной диффузии в щелочно-галоидных кристаллах, подверженных интенсивному ионизирующему облучению.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1124
ISSN: 1684-8519
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2006-309-3-10.pdf318,12 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.