Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18076
Название: Carbon saturation of silicon target under the action of pulsed high-intensity ion beam
Авторы: Aktaev, Nurken Erbolatovich
Remnev, Gennady Efimovich
Ключевые слова: насыщение; углерод; кремниевые мишени; импульсные пучки; ионные пучки; кремний; поверхности
Дата публикации: 2016
Издатель: IOP Publishing
Библиографическое описание: Aktaev N. E. Carbon saturation of silicon target under the action of pulsed high-intensity ion beam / N. E. Aktaev, G. E. Remnev // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2016. — Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015) : International Scientific Conference, 31 August to 10 September 2015, Tomsk, Russia : [proceedings]. — [012054, 9 p.].
Аннотация: The action of the pulsed high-intensity ion (carbon) beam on the silicon target is investigated by means of the theoretical model. The forming of the carbon concentration profile in depth of the silicon sample is modelled. It is argued, that there are two ways of the profile forming: short-pulsed ion (carbon) implantation and diffusion of the carbon atoms adsorbed on the silicon surface. It is shown, that the carbon atoms adsorbed on the silicon surface and diffused into the silicon target play the main role in the concentration profile forming.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18076
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
dx.doi.org-10.1088-1757-899X-110-1-012054.pdf966,22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.