Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мокроусов, Г. М. | ru |
| dc.contributor.author | Зарубина, Оксана Николаевна | ru |
| dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:52:00Z | - |
| dc.date.available | 2015-11-20T02:52:00Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Мокроусов Г. М. Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV / Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 313, № 3: Химия. Физика. — [С. 25-30]. | ru |
| dc.identifier.issn | 1684-8519 | - |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2349 | - |
| dc.description.abstract | На примере арсенида галлия рассмотрен возможный механизм формирования, состав и строение поверхностного фазового и приповерхностного нарушенного кристаллического слоев полупроводниковых соединений в зависимости от величины электродного потенциала и pH водной системы. На основе учета степени отклонения от стехиометрического состава (области гомогенности) соединения и диффузионных представлений впервые проведена оценка толщины приповерхностного слоя в связи с условиями химической обработки материала. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
| dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2008. Т. 313, № 3: Химия. Физика | - |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
| dc.subject | поверхностные слои | - |
| dc.subject | приповерхностные слои | - |
| dc.subject | полупроводники | - |
| dc.subject | арсенид галлия | - |
| dc.subject | фазовые слои | - |
| dc.subject | кристаллические слои | - |
| dc.subject | полупроводниковые соединения | - |
| dc.subject | электродные потенциалы | - |
| dc.subject | водные системы | - |
| dc.subject | стехиометрический состав | - |
| dc.subject | гомогенность | - |
| dc.subject | соединения | - |
| dc.subject | химическая обработка | - |
| dc.subject | материалы | - |
| dc.title | Формирование поверхностного и приповерхностного слоев на полупроводниках типа AIIIBV | ru |
| dc.type | Article | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.description.firstpage | 25 | - |
| local.description.lastpage | 30 | - |
| local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2008/v313/i3/04.pdf | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\188225 | - |
| local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\34919 | - |
| local.issue | 3 | - |
| local.localtype | Статья | ru |
| local.volume | 313 | - |
| Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2008-313-3-04.pdf | 453,19 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.