Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Войцеховский, А. В. | ru |
dc.contributor.author | Коханенко, А. П. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:56:15Z | - |
dc.date.available | 2015-11-20T02:56:15Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.citation | Войцеховский А. В. Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 104-116]. | ru |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3026 | - |
dc.description.abstract | В работе описаны результаты исследований процессов образования радиационных дефектов в узкозонных твердых растворах теллурида кадмия ртути (КРТ) при воздействии высокоэнергетических электронов. Проведен анализ потерь энергии электронов и длин их пробега в материале, рассчитано число смещений атомов соединения на один падающий электрон. Теоретически показано, что основные параметры материала КРТ могут направленно изменяться при изменении дозы облучения. Экспериментально определены основные закономерности изменений концентрации, подвижности и времени жизни носителей заряда в кристаллах КРТ при электронном облучении при комнатной температуре. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2000. Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии | - |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
dc.subject | высокоэнергетическое облучение | - |
dc.subject | дефектообразование | - |
dc.subject | теллурид кадмия | - |
dc.subject | теллурид ртути | - |
dc.title | Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами | ru |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 104 | - |
local.description.lastpage | 116 | - |
local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/08.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\176609 | - |
local.issue | 2 | - |
local.localtype | Статья | ru |
local.volume | 303 | - |
Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2000-303-2-08.pdf | 2,15 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.