Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Анненков, Юрий Михайлович | ru |
dc.contributor.author | Оловяшникова, А. М. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:56:19Z | - |
dc.date.available | 2015-11-20T02:56:19Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.citation | Анненков Ю. М. Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков, А. М. Оловяшникова // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 117-136]. | ru |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037 | - |
dc.description.abstract | Разработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2000. Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии | - |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
dc.subject | щелочно-галоидные кристаллы | - |
dc.subject | молекулярная статистика | - |
dc.subject | методы | - |
dc.subject | радиационные дефекты | - |
dc.subject | ионные кристаллы | - |
dc.subject | ионизирующее излучение | - |
dc.title | Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах | ru |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 117 | - |
local.description.lastpage | 136 | - |
local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/09.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\176610 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\25662 | - |
local.issue | 2 | - |
local.localtype | Статья | ru |
local.volume | 303 | - |
Располагается в коллекциях: | Известия ТПУ |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2000-303-2-09.pdf | 3,42 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.