Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАнненков, Юрий Михайловичru
dc.contributor.authorОловяшникова, А. М.ru
dc.date.accessioned2015-11-20T02:56:19Z-
dc.date.available2015-11-20T02:56:19Z-
dc.date.issued2000-
dc.identifier.citationАнненков Ю. М. Расчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллах / Ю. М. Анненков, А. М. Оловяшникова // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 117-136].ru
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/3037-
dc.description.abstractРазработана программа DEFECT для машинных расчетов энергетики дефектного ионного кристалла методами молекулярной статики. Программа состоит из трех подпрограмм: RESOT, предназначенную для построения координат идеального кристалла, SFERA, имеющую целью нахождение соседей иона на любом числе координационных сфер и SILA, позволяющую определять энергии взаимодействия между частицами и силы, действующие на данный ион. В центр модельного кристалла, состоящего из 1100 ионов, помещается рассматриваемый дефект. Ионы моделируются как точечные, неполяризующиеся заряды, величина которых соответствует истинным зарядам ионов кристалла. В модели при осуществлении операции минимизации энергии кристалла с дефектом проблемы дальнодействия кулоновского потенциала и учета электронно-деформационной поляризации решаются приближенно на макроскопическом уровне. С помощью программы DEFECT проведены расчеты энергетики образования и миграции шоттковских и френкелевских дефектов в ЩГК, энергий агрегатов вакансий различной сложности. Выполнен анализ эффективности взаимодействия между простейшими и сложными радиационными дефектами, определены энергетические стимулы различных радиационных процессов в ионных кристаллах, возбуждаемых ионизирующим излучением.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoruen
dc.publisherТомский политехнический университетru
dc.relation.ispartofИзвестия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2000. Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.sourceИзвестия Томского политехнического университета-
dc.subjectщелочно-галоидные кристаллы-
dc.subjectмолекулярная статистика-
dc.subjectметоды-
dc.subjectрадиационные дефекты-
dc.subjectионные кристаллы-
dc.subjectионизирующее излучение-
dc.titleРасчет на ЭВМ энергий образования, взаимодействия и миграции дефектов в щелочно-галоидных кристаллахru
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dcterms.audienceResearchesen
local.description.firstpage117-
local.description.lastpage136-
local.filepathhttp://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2000/v303/i2/09.pdf-
local.identifier.bibrecRU\TPU\book\176610-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\25662-
local.issue2-
local.localtypeСтатьяru
local.volume303-
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2000-303-2-09.pdf3,42 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.