Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/34846
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorZhidik, Y. S.en
dc.contributor.authorTroyan, P. E.en
dc.contributor.authorBaturina, E. V.en
dc.contributor.authorKorzhenko, Dmitry Vladimirovichen
dc.contributor.authorYuriev, Yuri Nikolaevichen
dc.date.accessioned2016-11-30T17:28:05Z-
dc.date.available2016-11-30T17:28:05Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationDeposition of the low resistive ITO-films by means of reactive magnetron sputtering of the In/Sn target on the cold substrate / Y. S. Zhidik [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. — 2016. — Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine : VIII International Scientific Conference, 1–3 June 2016, Tomsk, Russia : [proceedings]. — [012055, 5 p.].ru
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/34846-
dc.description.abstractDetailed information on the deposition technology of the low-resistive ITO-films in oxygen-containing media by magnetron reactive sputtering from the In(90%)/Sn(10%) target on the cold substrate is given. Developed technology allows deposition ITO-films with sheet resistance transparency higher than 90%. Developed technology is notable for high reproducibility of results and is compatible with production technology of semiconductor devices of optoelectronics.en
dc.language.isoenen
dc.publisherIOP Publishingru
dc.relation.ispartofIOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Vol. 135 : Issues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine. — Bristol, 2016.ru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectсопротивлениеru
dc.subjectпленкиru
dc.subjectреактивное распылениеru
dc.subjectмагнетронное распылениеru
dc.subjectмишениru
dc.subjectподложкиru
dc.subjectосаждениеru
dc.subjectполупроводниковые приборыru
dc.subjectоптоэлектроникаru
dc.titleDeposition of the low resistive ITO-films by means of reactive magnetron sputtering of the In/Sn target on the cold substrateen
dc.typeConference Paperen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferencePaperen
dcterms.audienceResearchesen
local.departmentНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)ru
local.description.firstpage12055-
local.filepathhttp://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/135/1/012055-
local.identifier.bibrecRU\TPU\network\15562-
local.identifier.colkeyRU\TPU\col\18726-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\37367-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\31508-
local.localtypeДокладru
local.volume135-
local.conference.nameIssues of Physics and Technology in Science, Industry and Medicine-
local.conference.date2016-
dc.identifier.doi10.1088/1757-899X/135/1/012055-
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
dx.doi.org-10.1088-1757-899X-135-1-012055.pdf831,27 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.