Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39344
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Юрьев, Юрий Николаевич | ru |
dc.contributor.author | Петраков, Юрий Вячеславович | ru |
dc.date.accessioned | 2017-06-07T04:16:32Z | - |
dc.date.available | 2017-06-07T04:16:32Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Петраков Ю. В. Осаждение диэлектрических плёнок Si3N4 с помощью плазмы магнетронного разряда : бакалаврская работа / Ю. В. Петраков ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Физико-технический институт (ФТИ), Кафедра общей физики (ОФ) ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев. — Томск, 2017. | - |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/39344 | - |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются диэлектрические плёнки нитрида кремния, полученные с помощью МРС, и режимы, обеспечивающие стехиометрический состав этих покрытий. Целью работы является определение параметров магнетронного осаждения, обеспечивающие получение стехиометрических плёнок Si3N4. В процессе исследования проводились: получение покрытий с помощью МРС, определение толщины и скорости осаждения плёнок Si3N4, изучение морфологии поверхности, определение показателя преломления и концентрации связей Si-N, влияние источника питания МРС на свойства покрытия нитрида кремния. В результате исследования были определены режимы нанесения диэлектрических покрытий Si3N4 с составом близким к стехиометрии. Было показано, что источник питания влияет на свойства получаемых покрытий. | ru |
dc.description.abstract | The object of research is a dielectric film of silicon nitride obtained with Mrs, and modes, providing a stoichiometric composition of these coatings.The aim of the work is to determine the parameters of magnetron deposition, which ensure the production of stoichiometric Si3N4 films. As a result, the modes of depositing Si3N4 dielectric coatings with a composition close to stoichiometry were determined. The power source affects on the properties of the coatings. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
dc.subject | магнетронная распылительная система (МРС) | ru |
dc.subject | планарный магнетрон | ru |
dc.subject | нитрид кремния (Si3N4) | ru |
dc.subject | ИК-Фурье спектроскопия | ru |
dc.subject | показатель преломления | ru |
dc.subject | magnetron sputtering system | en |
dc.subject | planar magnetron | en |
dc.subject | silicon nitride (Si3N4) | en |
dc.subject | FT-IR spectroscopy | en |
dc.subject | refractive index | en |
dc.title | Осаждение диэлектрических плёнок Si3N4 с помощью плазмы магнетронного разряда | ru |
dc.type | Students work | - |
local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Кафедра общей физики (ОФ) | - |
local.institut | 6270 | - |
local.localtype | Студенческая работа | - |
dc.subject.oksvnk | 03.03.02 | - |
local.thesis.level | Бакалавр | ru |
local.thesis.discipline | Физика | - |
local.local-vkr-id | 185429 | - |
local.vkr-id | 19063 | - |
local.stud-group | 0Б31 | - |
local.lichnost-id | 136944 | - |
local.thesis.level-id | 1 | - |
local.tutor-lichnost-id | 123093 | - |
dc.subject.udc | 539.23:661.68.065:621.385.64:533.9 | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы (ВКР) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
TPU386367(2).pdf | 2 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.