Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520| Название: | Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям |
| Авторы: | Ли Цзысюань Сысоева, С. Г. Олешко, Владимир Иванович |
| Научный руководитель: | Олешко, Владимир Иванович |
| Ключевые слова: | электронные ресурсы; полупроводниковые гетероструктуры; оптические свойства; оптоэлектроника; кристаллическая решетка; светоизлучающие структуры |
| Дата публикации: | 2017 |
| Библиографическое описание: | Ли Цзысюань. Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям / Ли Цзысюань, С. Г. Сысоева, В. И. Олешко ; науч. рук. В. И. Олешко // Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017) : сборник научных трудов VI Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 27–29 ноября 2017 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — [С. 152-153]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45520 |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C17_p152-153.pdf | 524,06 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.