Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342
Title: Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т
Other Titles: Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T
Authors: Смольников, Никита Викторович
Лебедев, Иван Игоревич
Аникин, Михаил Николаевич
Наймушин, Артем Георгиевич
Keywords: NTD; neutron-transmutation doping; research reactor IRT-T; silicon doping; MCU-PTR; исследовательские реакторы; облучение; легирование; охлаждение; кремний; нейтронно-трансмутационное легирование; ИРТ-Т
Issue Date: 2018
Publisher: Изд-во ТПУ
Citation: Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т / Н. В. Смольников [и др.] // Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине : сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск : в 2 ч. — Томск : Изд-во ТПУ, 2018. — Ч. 1. — [С. 139-143].
Abstract: Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342
Appears in Collections:Материалы конференций

Files in This Item:
File SizeFormat 
conference_tpu-2018-C24_V1_p139-143.pdf562,11 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.