Радиационно-стимулированный отжиг гамма-квантами светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs подвергнутых воздействию эксплуатационных факторов

Abstract

Целью данного исследования является изучение влияния радиационно-стимулированного отжига гамма-квантами на светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs после ступенчатых испытаний. В процессе выполнения дипломной работы был проделан теоретический анализ светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs. Было изучено понятие ступенчатых испытаний, рассмотрено их влияние на светодиоды на основе гетероструктур AlGaAs. Затем исследовано влияние радиационно-стимулированного отжига гамма-квантами на данные светодиоды. Выполнен комплекс экспериментальных измерений вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs после ступенчатых испытаний.

The purpose of this research is to study the effect of radiation-induced annealing by gamma rays on LEDs based on AlGaAs heterostructures after accelerated tests. In the process of completing the thesis, a theoretical analysis of LEDs based on AlGaAs heterostructures was done. The concept of accelerated tests was studied, their effect on LEDs based on AlGaAs heterostructures was examined. Then, the effect of radiation-stimulated annealing by gamma rays on these LEDs was studied. A set of experimental measurements of the current – ??voltage characteristics of LEDs based on AlGaAs heterostructures accelerated tests was performed.