1. Электронный архив ТПУ
  2. Наука
  3. Авторефераты и диссертации
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6230
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЕханин, Сергей Георгиевичru
dc.date.accessioned2015-12-02T04:05:50Z-
dc.date.available2015-12-02T04:05:50Z-
dc.date.issued2002-
dc.identifier.citationЕханин С. Г. Дефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : спец. 01.04.07 / С. Г. Еханин ; Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники. — Томск, 2002. — 43 с. : ил.ru
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/6230-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoruen
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.subjectкристаллографияru
dc.subjectщелочно-галоидные кристаллыru
dc.subjectмикронные слоиru
dc.subjectэлектрическая прочностьru
dc.subjectэлектрические поляru
dc.subjectкинетикаru
dc.subjectавторефераты диссертацийru
dc.titleДефектообразование, ударная ионизация и электрическая прочность микронных слоев щелочно-галоидных кристаллов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: спец. 01.04.07ru
dc.typeThesisen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/authorVersionen
dcterms.audienceResearchesen
local.filepathhttp://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2002/24.pdf-
local.identifier.bibrecRU\TPU\book\43868-
local.localtypeАвтореферат диссертацииru
dc.subject.oksvnk01.04.07-
local.thesis.levelДоктор наукru
local.thesis.degreeДоктор физико-математических наукru
local.thesis.disciplineФизика конденсированного состоянияru
Располагается в коллекциях:Авторефераты и диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
thesis_tpu-2002-24.pdf933,34 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Статистика   Google Scholar


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.