Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6544| Название: | Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: спец. 01.04.07 |
| Авторы: | Салтымаков, Максим Сергеевич |
| Научный руководитель: | Ремнев, Геннадий Ефимович |
| Ключевые слова: | Полупроводниковые пленки — Физико-химические свойства; тонкие пленки; осаждение; ионное распыление; сильноточные импульсные ускорители; ионные диоды; мишень; воздействие; поверхностный слой; химический состав; изменение; свойства; структура; авторефераты диссертаций |
| Дата публикации: | 2010 |
| Библиографическое описание: | Салтымаков М. С. Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : спец. 01.04.07 / М. С. Салтымаков ; Томский политехнический университет (ТПУ) ; науч. рук. Г. Е. Ремнев. — Томск, 2010. — 18 с. : ил. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6544 |
| Располагается в коллекциях: | Авторефераты и диссертации |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| thesis_tpu-2010-10.pdf | 915,93 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.