Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Зайдман, С. А. | ru |
| dc.contributor.author | Курындина, Н. К. | ru |
| dc.contributor.author | Свирякин, Д. И. | ru |
| dc.date.accessioned | 2016-03-03T12:52:04Z | - |
| dc.date.available | 2016-03-03T12:52:04Z | - |
| dc.date.issued | 1975 | - |
| dc.identifier.citation | Зайдман С. А. О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 126-129]. | ru |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (?Уф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ?Уф = ?Уф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс. | ru |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
| dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. 1975. Т. 280 : Неразрушающие методы контроля | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.source | Известия Томского политехнического института | ru |
| dc.title | О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 | ru |
| dc.type | Article | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.description.firstpage | 126 | - |
| local.description.lastpage | 129 | - |
| local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/1975/v280/30_full.pdf | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\259616 | - |
| local.localtype | Статья | ru |
| local.volume | 280 | - |
| Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-1975-v280-30_bw.pdf | Black-and-white version of the preview | 203,22 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
| bulletin_tpu-1975-v280-30_full.pdf | Color version | 4,37 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.