Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Паращук, В. В. | ru |
dc.contributor.author | Русаков, К. И. | ru |
dc.contributor.author | Джаббаров, Р. Б. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:47:11Z | - |
dc.date.available | 2015-11-20T02:47:11Z | - |
dc.date.issued | 2007 | - |
dc.identifier.citation | Паращук В. В. Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2007. — Т. 310, № 1. — [С. 82-86]. | ru |
dc.identifier.issn | 1684-8519 | - |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523 | - |
dc.description.abstract | Исследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2007. Т. 310, № 1 | - |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
dc.subject | оптимизация | - |
dc.subject | предельные режимы | - |
dc.subject | стримерные лазеры | - |
dc.subject | полупроводниковые лазеры | - |
dc.subject | электрические поля | - |
dc.subject | оптические поля | - |
dc.subject | стримерные разряды | - |
dc.subject | широкозонные полупроводники | - |
dc.subject | спектроскопические свойства | - |
dc.subject | перестройка | - |
dc.subject | люминесцентные характеристики | - |
dc.subject | активные среды | - |
dc.subject | сроки службы | - |
dc.subject | защитные слои | - |
dc.subject | полупроводниковые слои | - |
dc.subject | кристаллографическая ориентация | - |
dc.subject | кристаллический микрорельеф | - |
dc.subject | длина волны | - |
dc.subject | свет | - |
dc.subject | стримерное свечение | - |
dc.subject | соединения | - |
dc.title | Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера | ru |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 82 | - |
local.description.lastpage | 86 | - |
local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\186439 | - |
local.issue | 1 | - |
local.localtype | Статья | ru |
local.volume | 310 | - |
Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2007-310-1-19.pdf | 327,1 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.