Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПаращук, В. В.ru
dc.contributor.authorРусаков, К. И.ru
dc.contributor.authorДжаббаров, Р. Б.ru
dc.date.accessioned2015-11-20T02:47:11Z-
dc.date.available2015-11-20T02:47:11Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationПаращук В. В. Оптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазера / В. В. Паращук, К. И. Русаков, Р. Б. Джаббаров // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2007. — Т. 310, № 1. — [С. 82-86].ru
dc.identifier.issn1684-8519-
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/1523-
dc.description.abstractИсследовано влияние интенсивных электрического и оптического полей, создаваемых стримерным разрядом в широкозонных полупроводниках, на их спектроскопические свойства. Данный эффект проявляется в возникновении обратимой перестройки люминесцентных характеристик активной среды. Предложены методы существенного повышения срока службы и эффективности стримерного лазера при предельных режимах, основанные на использовании полупроводниковых защитных слоев определенной кристаллографической ориентации и кристаллического микрорельефа с размером элементов порядка длины волны света. Обнаружено и изучено стримерное свечение в новых перспективных соединениях CaGa2S4:Eu, Ca4Ga2S7:Eu.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoruen
dc.publisherТомский политехнический университетru
dc.relation.ispartofИзвестия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2007. Т. 310, № 1-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.sourceИзвестия Томского политехнического университета-
dc.subjectоптимизация-
dc.subjectпредельные режимы-
dc.subjectстримерные лазеры-
dc.subjectполупроводниковые лазеры-
dc.subjectэлектрические поля-
dc.subjectоптические поля-
dc.subjectстримерные разряды-
dc.subjectширокозонные полупроводники-
dc.subjectспектроскопические свойства-
dc.subjectперестройка-
dc.subjectлюминесцентные характеристики-
dc.subjectактивные среды-
dc.subjectсроки службы-
dc.subjectзащитные слои-
dc.subjectполупроводниковые слои-
dc.subjectкристаллографическая ориентация-
dc.subjectкристаллический микрорельеф-
dc.subjectдлина волны-
dc.subjectсвет-
dc.subjectстримерное свечение-
dc.subjectсоединения-
dc.titleОптимизация предельных режимов стримерного полупроводникового лазераru
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dcterms.audienceResearchesen
local.description.firstpage82-
local.description.lastpage86-
local.filepathhttp://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2007/v310/i1/19.pdf-
local.identifier.bibrecRU\TPU\book\186439-
local.issue1-
local.localtypeСтатьяru
local.volume310-
Располагается в коллекциях:Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2007-310-1-19.pdf327,1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.