Морфология разрушений светодиодных гетероструктур InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком

Abstract

Объектом исследования являются светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN-квантовых ям.Цель работы – изучение морфологии и механизмов электронно-пучкового разрушения тонкопленочных светодиодных наногетероструктурна основе InGaN/GaN-квантовых ям, выращенных на сапфировых подложках.Методы исследований – импульсная спектрометрия иоптическая микроскопия. Изучена морфология разрушений гетероструктур различной предыстории. Показано, что разрушения формируются в образцах при многоимпульсном облучении электронным пучком пороговой плотности при Н≥ 0,2 Дж/см2.Результаты исследований свидетельствуют о том, что главной причиной разрушения слоевгетероструктуры является электрический пробой,

Object of research are LED heterostructures on the basis of InGaN/GaN-quantum holes. The work purpose – studying of morphology and mechanisms of electronic and fascicular destruction of thin-film LED nanoheterostructures on the basis of the InGaN/GaN-quantum holes which are grown up on sapphire substrates. Methods of researches – a pulse spectrometry and an optical microscopy. The received results. The morphology of destructions of heterostructures of various background is studied. It is shown that destructions are formed in exemplars at multipulse radiation by an electron stream of threshold density at N ≥ 0,2 J/cm2. Results of researches demonstrate that the electrical breakdown developing in an electric field