Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения)

Abstract

Изучено влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. Используя методы резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, калориметрии, установлено, что облучение гамма-квантами или электронами экспозиционной дозой менее 105 Дж/кг полупроводников, металлов и сплавов приводит не к накоплению дефектов, а наоборот, к их устранению и переводу материала в более равновесное состояние по сравнению с исходным состоянием. Показано, что ионизационные процессы играют определяющую роль в процессе перестройки дефектов кристаллической решетки материалов, обладающих как полупроводниковой, так и металлической проводимостью. Установлено, что перестройка структуры кристалла происходит за счет освобождения запасенной в кристалле энергии в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физических свойств.