Электролюминесценция и фоточувствительность комплексов цинка с сульфаниламинозамещенными лигандами

Abstract

Целью данной работы являлось изучение электролюминесцентных свойств и фоточувствительности диодных структур на основе комплексов цинка с сульфаниламинозамещенными лигандами. Было изготовлено 6 структур с различными-дырочно-транспортными слоями, находящимися в контакте с цинковым комплексом. Для данных устройств были получены вольт-амперные и вольт-яркостные характеристики, измерены фотовольтаические свойства и спектры электролюминесценции. В спектрах проявляются сильные эксиплексные полосы в области 600 нм из-за взаимодействия возбужденных молекул цинковых комплексов и молекул триариламинов в дырочно-транспортном слое. Наибольшим фототоком обладают устройства с эффективным образованием эксиплексов.

The aim of this work was to study electroluminescent and photosensivity properties of diode structures based on zinc complexes with sulphanylamino-substituted ligands. Six structures with different hole-transporting layers, which are in contact with zinc complex, were fabricated. For these devices current-voltage and current-brightness characteristics, photovoltaic properties and electroluminescence spectra were measured. The spectra exhibit a strong exciplex band at 600 nm due to the interaction of excited molecules and molecular complexes of zinc in the triarylamine hole-transport layer. Devices with an effective exciplex formation have the biggest value of photocurrent.