Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/300
Title: Высокоинтенсивная имплантация ионов алюминия в никель и титан
Authors: Курзина, И. А.
Божко, И. А.
Калашников, М. П.
Фортуна, С. В.
Батырева, В. А.
Степанов, И. Б.
Шаркеев, Ю. П.
Keywords: имплантация; ионы алюминия; никель; титан; элементный состав; структурно-фазовые состояния; поверхностные слои; вакуумно-дуговые источники; ионно-плазменные источники; ионная имплантация; модифицированные слои; мелкодисперсная фаза; интерметаллидные фазы; твердые растворы; диаграммы; системы; закономерности; локализация; ионно-легированные слои; металлы; модифицированные материалы
Issue Date: 2004
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Высокоинтенсивная имплантация ионов алюминия в никель и титан / И. А. Курзина [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2004. — Т. 307, № 3. — [С. 30-35].
Abstract: Исследованы элементный состав и структурно-фазовое состояние поверхностных слоев никеля и титана, легированных в режиме высокоинтенсивной ионной имплантации алюминия на вакуумно-дуговом ионно-плазменном источнике "Радуга-5". При ионной имплантации возможно формирование слоев толщиной до 1000 нм (Ni) и 2000 нм (Ti). Установлено, что при высокоинтенсивной ионной имплантации алюминия формируются поверхностные модифицированные слои, содержащие мелкодисперсные интерметаллидные фазы Me3Al, MeAl (Me=Ni, Ti) и твердые растворы переменного по глубине состава, соответствующие диаграммам состояния систем Ni-Al, Ti-Al. Выявлена закономерность в локализации фаз, сформированных в процессе имплантации, по глубине ионно-легированных слоев металлов. Найдена взаимосвязь между структурно-фазовым состоянием модифицированных материалов и условиями имплантации.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/300
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2004-307-3-07.pdf2,71 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.