Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3048
Название: | Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках |
Авторы: | Зыков, В. М. |
Ключевые слова: | полупроводники; точечные дефекты; методы исследования; электрические методы; релаксационные методы; стационарные методы |
Дата публикации: | 2000 |
Издатель: | Томский политехнический университет |
Библиографическое описание: | Зыков В. М. Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках / В. М. Зыков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 137-161]. |
Аннотация: | Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3048 |
Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2000-303-2-10.pdf | 3,59 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.