Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Градобоев, Александр Васильевич | ru |
dc.contributor.author | Скаков, М. К. | ru |
dc.contributor.author | Полицинский, Евгений Валерьевич | ru |
dc.contributor.author | Аубакирова, Д. М. | ru |
dc.date.accessioned | 2015-11-20T02:56:29Z | - |
dc.date.available | 2015-11-20T02:56:29Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения / А. В. Градобоев [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2010. — Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика. — [С. 125-129]. | ru |
dc.identifier.issn | 1684-8519 | - |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения. | ru |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Томский политехнический университет | ru |
dc.relation.ispartof | Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2010. Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика | - |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.source | Известия Томского политехнического университета | - |
dc.subject | импульсное лазерное излучение | - |
dc.subject | светоизлучающие диоды | - |
dc.subject | эпитаксиальные слои | - |
dc.subject | GaAs | - |
dc.subject | контакт металл-полупроводник | - |
dc.subject | диоды | - |
dc.subject | лазерное излучение | - |
dc.subject | результаты исследований | - |
dc.title | Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения | ru |
dc.type | Article | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 125 | - |
local.description.lastpage | 129 | - |
local.filepath | http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2010/v316/i2/26.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\book\198160 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\24213 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\24524 | - |
local.issue | 2 | - |
local.localtype | Статья | ru |
local.volume | 316 | - |
Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
bulletin_tpu-2010-316-2-26.pdf | 109,14 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.