Обнаружение латентных дефектов в тонкопленочных покрытиях с помощью коронного разряда

Abstract

Объектом исследования являются латентные дефекты в тонких диэлектрических пленках. Цель работы – исследование возможности выявления латентных дефектов в диэлектрических пленках воздействием электрического поля. В процессе работы на основе проведенного обзора литературы была разработана методика определения скрытых сквозных отверстий в тонких диэлектрических пленках, под эту методику разработана и создана экспериментальная установка. На установке были проведены экспериментальные исследования по возможности обнаружения латентных дефектов в виде сквозных отверстий в тонких диэлектрических пленках воздействием электрическим полем. Установлены параметры конфигурации межэлектродного промежутка, расстояния между электродами, остаточного давления газа в рабочем объеме, прикладываемого напряжения и

The object of the study are latent defects in thin dielectric films. The aim of this work is to investigate the possibilities of latent defects in dielectric films by the action of an electric field. In the course of work, based on the review of the literature, a technique was developed for determining hidden holes in thin dielectric films, this method and the experimental setup created. Experimental studies were conducted on the possibilities of access to the laboratory. The established parameters for the configuration of the interelectrode gap, the distance between the electrodes, the residual gas pressures in the working volume, the applied voltage and range, in the presence of a defect and without a defect. The effect of the work done is the experimental regimes in which end-to-end def