Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | Юрьев, Юрий Николаевич | ru |
| dc.contributor.author | Петраков, Ю. В. | ru |
| dc.contributor.author | Киселева, Д. В. | ru |
| dc.date.accessioned | 2017-07-17T22:02:48Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-17T22:02:48Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Петраков Ю. В. Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния / Ю. В. Петраков, Д. В. Киселева ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 1 : Физика. — [С. 270-272]. | ru |
| dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/41465 | - |
| dc.description.abstract | Silicon nitride (Si3N4) films were deposited by magnetron sputtering of silicon target in (Ar+N2) atmosphere with refractive index 1.95 - 2.05. The results of Fourier transform infrared (FTIR) spectrophotometry showed Si-N bonds in the thin films with concentration 2.41·1023 - 3.48·1023 cm-3. Dependences of deposition rate, optical characteristics and surface morphology on rate of N2 flow and properties of magnetron power supply. | en |
| dc.language.iso | ru | en |
| dc.publisher | Изд-во ТПУ | ru |
| dc.relation.ispartof | Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. Т. 1 : Физика. — Томск, 2017. | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | магнетронное распыление | ru |
| dc.subject | нитрид кремния | ru |
| dc.subject | эллипсометрия | ru |
| dc.subject | спектроскопия | ru |
| dc.subject | плазмообразующие газы | ru |
| dc.title | Влияние параметров источника питания магнетрона на свойства плёнок нитрида кремния | ru |
| dc.title.alternative | Study on the influence of the magnetron power supply on the properties of the silicon nitride films | en |
| dc.type | Conference Paper | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
| dcterms.audience | Researches | en |
| local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Кафедра экспериментальной физики (ЭФ) | ru |
| local.description.firstpage | 270 | - |
| local.description.lastpage | 272 | - |
| local.filepath | conference_tpu-2017-C21_V1_p270-272.pdf | - |
| local.identifier.bibrec | RU\TPU\conf\21494 | - |
| local.identifier.colkey | RU\TPU\col\21255 | - |
| local.localtype | Доклад | ru |
| local.volume | 1 | - |
| local.conference.name | Перспективы развития фундаментальных наук | - |
| local.conference.date | 2017 | - |
| Располагается в коллекциях: | Материалы конференций | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2017-C21_V1_p270-272.pdf | 252,9 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.