Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45347
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Томашевич, А. А. | ru |
dc.contributor.author | Лощилов, А. Г. | ru |
dc.contributor.author | Ерофеев, Е. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
dc.date.available | 2017-12-19T02:42:48Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Томашевич А. А. К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов / А. А. Томашевич, А. Г. Лощилов, Е. В. Ерофеев // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. : в 7 т. — Томск : Изд-во ТПУ, 2017. — Т. 7 : IT-технологии и электроника. — [С. 111-113]. | ru |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/45347 | - |
dc.description.abstract | This paper discusses automation solution for testing of GaN based power transistors. This solution includes switching circuit that makes it possible to measure representative samples in amounts of ten and more in automatic mode. It enables to reduce efforts and increase measurement repeatability. | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Изд-во ТПУ | ru |
dc.relation.ispartof | Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XIV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 25-28 апреля 2017 г. Т. 7 : IT-технологии и электроника. — Томск, 2017. | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | электронные ресурсы | ru |
dc.subject | научно-технологическое развитие | ru |
dc.subject | нанотехнологии | ru |
dc.subject | силовые транзисторы | ru |
dc.subject | исследовательские испытания | ru |
dc.subject | GAN | ru |
dc.title | К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов | ru |
dc.title.alternative | On question of automated tests of GaN power transistors | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.description.firstpage | 111 | - |
local.description.lastpage | 113 | - |
local.filepath | conference_tpu-2017-C21_V7_p111-113.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\conf\24969 | - |
local.localtype | Доклад | ru |
local.volume | 7 | - |
local.conference.name | Перспективы развития фундаментальных наук | - |
local.conference.date | 2017 | - |
Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2017-C21_V7_p111-113.pdf | 261,07 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.