Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47674
Название: Изучение процессов неравновесного выхода водорода из металлических образцов (Ni,Ti) различной толщины различных видах стимуляции
Авторы: Лю, Ланьцзэ
Научный руководитель: Тюрин, Юрий Иванович
Ключевые слова: водород; металл; неравновесное высвобождение; плазма; диффузия; hydrogen; metall; nonequilibrium release; plasma; diffusion
Дата публикации: 2018
Библиографическое описание: Лю Л. Изучение процессов неравновесного выхода водорода из металлических образцов (Ni,Ti) различной толщины различных видах стимуляции : бакалаврская работа / Л. Лю ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Школа базовой инженерной подготовки (ШБИП), Отделение русского языка (ОРЯ) ; науч. рук. Ю. И. Тюрин. — Томск, 2018.
Аннотация: Рассмотрены особенности неравновесного выхода водорода из образцов (Ni, Ti ) при различных способах насыщения материалов водородом ( электролиз, метод Сивертса, плазма ВЧ разряда) и стимуляции (термическая и стимуляция с высокой эффективной температурой). Проанализированы современные подходы теоретического рассмотрения данных процессов, включая обратный эффект Мессбауэра. Результаты работы актуальны для решения проблемы водородного охрупчивания конструкционных материалов в ядерной и водородной энергетике и предотвращения пассивирования примесных центров свечения в светодиодах.
The features of the nonequilibrium hydrogen output from samples (Ni, Ti) at various methods of hydrogen saturation with materials (electrolysis, Sievert method, high-frequency discharge plasma) and stimulation (thermal and stimulation with high effective temperature) are considered.     Modern approaches to theoretical consideration of these processes, including the inverse Mossbauer effect, are analyzed.     The results of the work are relevant for the solution of the problem of hydrogen embrittlement of structural materials in nuclear and hydrogen energy and prevention of passivation of impurity centers of luminescence in light-emitting diodes.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/47674
Располагается в коллекциях:Выпускные квалификационные работы (ВКР)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU540973.pdf1,9 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.