Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907| Title: | Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла |
| Other Titles: | Electronic structure of intermetallics based on a rare earth element and a transition or noble metal |
| Authors: | Вязовская, А. Ю. |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Отроков, М. М. |
| Keywords: | электронные структуры; редкоземельные элементы; переходные металлы; благородные металлы; поверхностные состояния |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Издательский Дом Томского государственного университета |
| Citation: | Вязовская А. Ю. Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла / А. Ю. Вязовская ; науч. рук. М. М. Отроков // Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. : в 7 т. — Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2018. — Т. 1 : Физика. — [С. 84-86]. |
| Abstract: | The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2018-C21_V1_p84-86.pdf | 751,22 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.