Диагностика и контроль светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN - квантовых ям с возбуждением высокоэнергетическим сильноточным электронным пучком

Abstract

В работе исследовано 14 светодиодных гетероструктур с InGaN/GaN квантовыми ямами (КЯ) (ГС-1-14) разных производителей и 4 образца GaN с разной плотностью дислокаций, полученные методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфире с ориентацией [001] комплексное исследование закономерностей формирования люминесцентных свойств светодиодных гетероструктур с InGaN/GaN квантовыми ямами и разработка физических основ для реализации новых методов катодолюминесцентного контроля наногетероструктур с возбуждением сильноточным электронным пучком.

In this work, 14 LED heterostructures with InGaN / GaN quantum wells (QW) (GS-1-14) from different manufacturers and 4 GaN samples with different dislocation densities obtained by the method of organometallic gas-phase epitaxy on sapphire with [001] orientation were investigated. comprehensive study of the formation patterns of the luminescent properties of LED heterostructures with InGaN / GaN quantum wells and the development of physical bases for the implementation of new methods for cathodoluminescent control of nanoheterostructures with high-current electron beam excitation.