Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/54837
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.advisorЮрьева, Алёна Викторовнаru
dc.contributor.authorЕлгин, Юрий Игоревичru
dc.date.accessioned2019-06-13T05:30:08Z-
dc.date.available2019-06-13T05:30:08Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationЕлгин Ю. И. Влияние условий осаждения на свойства a-C:H:SiOx пленок : магистерская диссертация / Ю. И. Елгин ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. А. В. Юрьева. — Томск, 2019.-
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/54837-
dc.description.abstractОбъектом исследования являются алмазоподобные углеродные покрытия, полученные методом плазмохимического осаждения в смеси Ar/N2 и паров полифенилметилсилосана. Целью работы является комплексное исследование свойств a-C:H:SiOx пленок, формируемых методом плазмохимического осаждения в смеси Ar/N2 и полифенилметилсилосана с приложением к подложке импульсного биполярного напряжения смещения. В результате исследования были получены кремний-углеродные пленки с краевым углом смачивания с водой до 94о. Установлено, что с увеличением расхода азота N2 происходит снижение механических характеристик получаемых пленок (твердость с 16,3 ГПа до 12,5 ГПа; сопротивление пластической деформации с 196 МПа до 110 МПа).ru
dc.description.abstractThis work is devoted to an integrated study of the a–C:H:SiOx films properties formed by plasma chemical deposition in Ar/N2 and polyphenyl methylsiloxane (PPMS) mixture with pulsed bipolar bias voltage applied to the substrate. In the paper a-C:H:SiOx films with a hardness up to 13 GPa, an elastic modulus not above 113 GPa and a wetting contact angle with water of 80-95 ° were obtained. The results of Raman and FTIR spectroscopy explained the behavior of the obtained mechanical properties due to the change in the ratio of sp2 and sp3 hybridized carbon atoms in the film. Atomic force microscopy made it possible to study the surface morphology of the obtained a-C:H:SiOx films.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoruen
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.subjectалмазоподообныеru
dc.subjectКремний-углеродныеru
dc.subjectтонкие пленкиru
dc.subjectазотированиеru
dc.subjectизносостойкостьru
dc.subjectdiamond-likeen
dc.subjectnitridingen
dc.subjectwear resistanceen
dc.subjectthin filmsen
dc.subjectcarbonen
dc.titleВлияние условий осаждения на свойства a-C:H:SiOx пленокru
dc.typeStudents work-
local.departmentНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ)::Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга)-
local.institut7863-
local.localtypeСтуденческая работа-
dc.subject.oksvnk16.04.01-
local.thesis.levelМагистрru
local.thesis.disciplineТехническая физика-
local.local-vkr-id563874-
local.vkr-id38115-
local.stud-group0ДМ71-
local.lichnost-id162610-
local.thesis.level-id3-
local.tutor-lichnost-id123147-
dc.subject.udc621.793.1:539.216.2-
Располагается в коллекциях:Магистерские диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU735144.pdf1,45 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.