Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/61149
Название: Влияние индукции магнитного поля в области подложки и расстояния до плазмогенератора на структуру и механические свойства плёнок a–C:H:SiOx
Авторы: Ярославцева, Ольга Анатольевна
Научный руководитель: Блейхер, Галина Алексеевна
Ключевые слова: кремний–углеродные (a–C:H:SiOx) покрытия; плазмохимическое осаждение; биполярное напряжение смещения; индукция магнитного поля; расстояние плазмогенератор/подложка; silicon–carbon (a–C:H:SiOx) coatings; plasma chemical deposition; pulsed bipolar bias voltage; magnetic field induction; plasma generator/substrate distance
Дата публикации: 2020
Библиографическое описание: Ярославцева О. А. Влияние индукции магнитного поля в области подложки и расстояния до плазмогенератора на структуру и механические свойства плёнок a–C:H:SiOx : магистерская диссертация / О. А. Ярославцева ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга (НОЦ Б.П. Вейнберга) ; науч. рук. Г. А. Блейхер. — Томск, 2020.
Аннотация: Объектом исследования являются a–C:H:SiOx плёнки, полученные плазмохимическим методом при использовании импульсного биполярного напряжения смещения. Целью работы было изучение влияния индукции магнитного поля в области подложки и расстояния плазмогенератор/подложка на механические свойства a–C:H:SiOx плёнок, наносимых плазмохимическим методом с использованием импульсного биполярного напряжения смещения в парах полифенилметилсилоксана. В процессе работы проводилась оптимизация условий осаждения и исследование механических свойств полученных плёнок.
The object of research is a–C:H:SiOx films obtained by the plasma-chemical method using pulsed bipolar bias voltage. The aim of the work was to study the effect of magnetic field induction in the substrate region and the plasma generator/substrate distance on the mechanical properties of a–C:H:SiOx films deposited by the plasma-chemical method using a pulsed bipolar bias voltage in polyphenylmethylsiloxane vapors. In the process, the deposition conditions were optimized and the mechanical properties of the resulting films were studied.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/61149
Располагается в коллекциях:Магистерские диссертации

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
TPU933253.pdf2,86 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.