Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6387| Название: | Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
| Авторы: | Новиков, Владимир Александрович |
| Научный руководитель: | Брудный, Валентин Натанович |
| Ключевые слова: | полупроводниковые фосфиды; свойства; высокоэнергетическое облучение; фосфид индия; фосфид галия; дифосфиды; радиационные дефекты; дифосфид кадмия олова; дифосфид цинка германия; авторефераты диссертаций |
| Дата публикации: | 2007 |
| Библиографическое описание: | Новиков В. А. Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. А. Новиков ; Томский государственный университет ; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете ; науч. рук. В. Н. Брудный. — Томск, 2007. — 24 с. : ил. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6387 |
| Располагается в коллекциях: | Авторефераты и диссертации |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| thesis_tpu-2007-68.pdf | 455,81 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.