Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017
Название: Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3]
Авторы: Сычева, А. В.
Научный руководитель: Олешко, Владимир Иванович
Ключевые слова: импульсная спектрометрия; люминесцентная спектроскопия; эпитаксиальные слои; подложки; сапфировые подложки
Дата публикации: 2014
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Сычева А. В. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] / А. В. Сычева ; науч. рук. В. И. Олешко // Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых : Сборник научных трудов V Всероссийской конференции студентов элитного технического образования, г. Томск, 25 -27 марта 2014 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2014. — [С. 80-83].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
conference_tpu-2014-C08_p80-83.pdf207,66 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.