Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/67061
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | Юрьев, Юрий Николаевич | ru |
dc.contributor.author | Федорова, Алена Игоревна | ru |
dc.date.accessioned | 2021-06-16T04:37:08Z | - |
dc.date.available | 2021-06-16T04:37:08Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.citation | Федорова А. И. Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием : бакалаврская работа / А. И. Федорова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ), Отделение экспериментальной физики (ОЭФ) ; науч. рук. Ю. Н. Юрьев. — Томск, 2021. | - |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/67061 | - |
dc.description.abstract | В данной работе исследуется процесс магнетронного напыления нитрида кремния с использованием ионного ассистирования плазмой ВЧ разряда. Для повышения скорости напыления и минимизации влияния азота на мишень из Si реализован методы раздельного напыления когда азот подается к ВЧ источнику плазмы, а аргон к мишени. | ru |
dc.description.abstract | In this work, we investigate the process of magnetron sputtering of silicon nitride using ion assisted RF discharge plasma. Separate deposition methods have been implemented where nitrogen is supplied to the RF plasma source and argon to the target to increase the deposition rate and minimize the effect of nitrogen on the Si target. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | ru | en |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
dc.subject | нитрид кремния | ru |
dc.subject | магнетрон | ru |
dc.subject | показатель преломления | ru |
dc.subject | концентрация связей Si-N | ru |
dc.subject | ионное ассистирование | ru |
dc.subject | осаждение | ru |
dc.subject | silicon nitride | en |
dc.subject | magnetron | en |
dc.subject | refractive index | en |
dc.subject | concentration of Si-N bonds | en |
dc.subject | ion assisted | en |
dc.subject | sedimentation | en |
dc.title | Осаждение нитрида кремния с помощью магнетронного распыления с ионным-ассистированием | ru |
dc.type | Students work | - |
local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Инженерная школа ядерных технологий (ИЯТШ)::Отделение экспериментальной физики (ОЭФ) | - |
local.institut | 7863 | - |
local.localtype | Студенческая работа | - |
dc.subject.oksvnk | 03.03.02 | - |
local.thesis.level | Бакалавр | ru |
local.thesis.discipline | Физика | - |
local.local-vkr-id | 982665 | - |
local.vkr-id | 48032 | - |
local.stud-group | 0Б71 | - |
local.lichnost-id | 161101 | - |
local.thesis.level-id | 1 | - |
local.tutor-lichnost-id | 123093 | - |
dc.subject.udc | 621.385.64:661.8'042:661.681 | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы (ВКР) |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
TPU1165898.pdf | 1,83 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.