Высокоинтенсивная имплантация ионов низкой энергии в условиях компенсации ионного распыления облучаемой поверхности

Abstract

Магистерская диссертационная работа включает в себя пять глав, три из которых направлены на решение поставленных научных задач. В данной работе впервые показана возможность имплантации ионов азота и алюминия с помощью сфокусированных высокоинтенсивных пучков низкой энергии в условиях компенсации ионного распыления облучаемой поверхности за счёт осаждения распылённого материала в случае обработки внутренней поверхности протяжённых отверстий. Показана возможность однородного ионного легирования внутренней поверхности отверстия как за счет подбора оптимального режима облучения, так и благодаря динамическому перемещению облучаемой детали относительно фокуса ионного пучка.

In this work, we show for the first time the possibility of implanting nitrogen and aluminum ions using focused high-intensity low-energy beams under conditions of compensation for ion sputtering of the irradiated surface due to the deposition of the sputtered material in the case of processing the inner surface of extended holes. The possibility of uniform ion doping of the inner surface of the hole is shown both due to the selection of the optimal irradiation mode and due to the dynamic displacement of the irradiated part relative to the focus of the ion beam.