Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Смольников, Никита Викторович | ru |
dc.contributor.author | Лебедев, Иван Игоревич | ru |
dc.contributor.author | Аникин, Михаил Николаевич | ru |
dc.contributor.author | Наймушин, Артем Георгиевич | ru |
dc.date.accessioned | 2019-01-18T04:40:50Z | - |
dc.date.available | 2019-01-18T04:40:50Z | - |
dc.date.issued | 2018 | - |
dc.identifier.citation | Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т / Н. В. Смольников [и др.] // Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине : сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск : в 2 ч. — Томск : Изд-во ТПУ, 2018. — Ч. 1. — [С. 139-143]. | ru |
dc.identifier.uri | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342 | - |
dc.description.abstract | Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation. | en |
dc.language.iso | ru | en |
dc.publisher | Изд-во ТПУ | ru |
dc.relation.ispartof | Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине : сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск. Ч. 1. — Томск, 2018. | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
dc.subject | NTD | ru |
dc.subject | neutron-transmutation doping | ru |
dc.subject | research reactor IRT-T | ru |
dc.subject | silicon doping | ru |
dc.subject | MCU-PTR | ru |
dc.subject | исследовательские реакторы | ru |
dc.subject | облучение | ru |
dc.subject | легирование | ru |
dc.subject | охлаждение | ru |
dc.subject | кремний | ru |
dc.subject | нейтронно-трансмутационное легирование | ru |
dc.subject | ИРТ-Т | ru |
dc.title | Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т | ru |
dc.title.alternative | Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T | en |
dc.type | Conference Paper | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | en |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferencePaper | en |
dcterms.audience | Researches | en |
local.department | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)::Физико-технический институт (ФТИ)::Лаборатория № 33 ядерного реактора | ru |
local.description.firstpage | 139 | - |
local.description.lastpage | 143 | - |
local.filepath | conference_tpu-2018-C24_V1_p139-143.pdf | - |
local.identifier.bibrec | RU\TPU\conf\29213 | - |
local.identifier.colkey | RU\TPU\col\19896 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\42160 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\32502 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\32503 | - |
local.identifier.perskey | RU\TPU\pers\26460 | - |
local.localtype | Доклад | ru |
local.conference.name | Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине | - |
local.conference.date | 2018 | - |
Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2018-C24_V1_p139-143.pdf | 562,11 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.