Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6387| Title: | Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук |
| Authors: | Новиков, Владимир Александрович |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Брудный, Валентин Натанович |
| Keywords: | полупроводниковые фосфиды; свойства; высокоэнергетическое облучение; фосфид индия; фосфид галия; дифосфиды; радиационные дефекты; дифосфид кадмия олова; дифосфид цинка германия; авторефераты диссертаций |
| Issue Date: | 2007 |
| Citation: | Новиков В. А. Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. А. Новиков ; Томский государственный университет ; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете ; науч. рук. В. Н. Брудный. — Томск, 2007. — 24 с. : ил. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/6387 |
| Appears in Collections: | Авторефераты и диссертации |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| thesis_tpu-2007-68.pdf | 455,81 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.