Please use this identifier to cite or link to this item:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017| Title: | Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] |
| Authors: | Сычева, А. В. |
| metadata.dc.contributor.advisor: | Олешко, Владимир Иванович |
| Keywords: | импульсная спектрометрия; люминесцентная спектроскопия; эпитаксиальные слои; подложки; сапфировые подложки |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Томский политехнический университет |
| Citation: | Сычева А. В. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] / А. В. Сычева ; науч. рук. В. И. Олешко // Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых : Сборник научных трудов V Всероссийской конференции студентов элитного технического образования, г. Томск, 25 -27 марта 2014 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2014. — [С. 80-83]. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017 |
| Appears in Collections: | Материалы конференций |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| conference_tpu-2014-C08_p80-83.pdf | 207,66 kB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License
