Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017
Название: | Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] |
Авторы: | Сычева, А. В. |
Научный руководитель: | Олешко, Владимир Иванович |
Ключевые слова: | импульсная спектрометрия; люминесцентная спектроскопия; эпитаксиальные слои; подложки; сапфировые подложки |
Дата публикации: | 2014 |
Издатель: | Томский политехнический университет |
Библиографическое описание: | Сычева А. В. Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL[2]O[3] / А. В. Сычева ; науч. рук. В. И. Олешко // Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых : Сборник научных трудов V Всероссийской конференции студентов элитного технического образования, г. Томск, 25 -27 марта 2014 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2014. — [С. 80-83]. |
URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/66017 |
Располагается в коллекциях: | Материалы конференций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
conference_tpu-2014-C08_p80-83.pdf | 207,66 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Лицензия на ресурс: Лицензия Creative Commons