Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057
Title: Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках
Authors: Лопатин, Владимир Васильевич
Носков, М. Д.
Keywords: предпробивные неустойчивости; конденсированные диэлектрики; открытые системы; инициирование; разрядные каналы; жидкие диэлектрики; твердые диэлектрики; электродинамика; стохастические уравнения; фазовый переход; плазма; энергия; физико-математические модели; моделирование; параметры; характеристики; развивающиеся разряды
Issue Date: 2006
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Лопатин В. В. Развитие предпробивных неустойчивостей в конденсированных диэлектриках / В. В. Лопатин, М. Д. Носков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 2. — [С. 64-69].
Abstract: В терминах развития неустойчивостей в открытых системах проанализированы существующие представления об инициировании и развитии разрядных каналов в жидких и твердых диэлектриках. Аргументируется подход к количественному описанию развития разрядных каналов на основе законов электродинамики и стохастического уравнения, связывающего вероятность фазового перехода диэлектрик-плазма с накопленной энергией. Приведена физико-математическая модель, позволяющая самосогласованным решением уравнений симулировать развитие разрядных каналов. На примерах результатов моделирования продемонстрированы возможности определения параметров и характеристик развивающегося разряда.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1057
Appears in Collections:Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2006-309-2-13.pdf610,2 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.