Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1140
Название: Релаксация тока в наноразмерных пленках оксида вольфрама (VI)
Авторы: Бин, С. В.
Борисова, Н. В.
Суровой, Э. П.
Титов, И. В.
Ключевые слова: релаксация; токи; наноразмерные пленки; оксид вольфрама; внешние напряжения; толщина; выдержка; образцы; атмосферные условия; материалы; подложки; кинетические кривые; стационарный участок; энергия; стационарный ток; стекла; фторопласты; кинетические закономерности; постпроцессы; стеклянные носители; фторопластовые носители
Дата публикации: 2006
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Релаксация тока в наноразмерных пленках оксида вольфрама (VI) / С. В. Бин [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2006. — Т. 309, № 3. — [С. 102-106].
Аннотация: В диапазоне внешних напряжений +-10 В независимо от толщины пленок WO[3] (20…100 нм), времени выдержки образцов в атмосферных условиях (2…180 ч), материала подложки (фторопласт 4, стекло ГОСТ 9284 - 59) на кинетических кривых тока релаксации систем Cu - WO[3] - Cu проявляются три участка: резкое возрастание тока (начальный максимум), участок уменьшения тока и стационарный участок, а также отсутствует запасание энергии в системах Cu - WO[3] - Cu. Обнаружено аномальное увеличение стационарного тока при толщине пленок WO[3] ?35 нм. Установлено влияние материала подложки (стекло, фторопласт 4) на кинетические закономерности тока релаксации в системах Cu - WO[3] - Cu. В результате постпроцессов релаксация систем Cu - WO[3] - Cu на стеклянных носителях завершается через ~48 ч, а на фторопластовых - через ~180 ч.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/1140
ISSN: 1684-8519
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2006-309-3-24.pdf224,87 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.