Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568
Название: О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2
Авторы: Зайдман, С. А.
Курындина, Н. К.
Свирякин, Д. И.
Дата публикации: 1975
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Зайдман С. А. О некоторых особенностях зависимости конденсаторной фотоэдс от электрического поля в системе Si-SiO2 / С. А. Зайдман, Н. К. Курындина, Д. И. Свирякин // Известия Томского политехнического института [Известия ТПИ]. — 1975. — Т. 280 : Неразрушающие методы контроля. — [С. 126-129].
Аннотация: В работе исследуется поведение сигнала фотоэдс (?Уф) в системе полупроводник - диэлектрик (Si-SiO2) в зависимости от поверхностного потенциала (УS0) и оцениваются возможности метода фотоэдс для анализа границы раздела полупроводник - диэлектрик. Показано, что метод весьма чувствителен к параметрам поверхностных состояний. Для экспериментальных зависимостей ?Уф = ?Уф(УS0) характерен ряд особенностей, которые полностью не объясняются в рамках существующей теории конденсаторной фотоэдс.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/13568
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-1975-v280-30_bw.pdfBlack-and-white version of the preview203,22 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
bulletin_tpu-1975-v280-30_full.pdfColor version4,37 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.