Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
Название: Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига
Авторы: Дохтуров, Всеволод Всеволодович
Смирнов, Серафим Всеволодович
Юрченко, Алексей Васильевич
Юрченко, Василий Иванович
Ключевые слова: омические контакты; параметры; контроль; сопротивление; отжиг
Дата публикации: 2012
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Контроль параметров омических контактов непосредственно в процессе их отжига / В. В. Дохтуров [и др.] // Вестник науки Сибири. — 2012. — № 1 (2). — [С. 109-114].
Аннотация: Проведен анализ процесса отжига омических контактов к полупроводниковым структурам на основе арсенида галлия и его твердых растворов с контролем сопротивления непосредственно в процессе отжига. Приведена эмпирическая формула зависимости приведенного поверхностного сопротивления от температуры. Представлена физическая модель формирования омических контактов.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/15928
ISSN: 2226-0064
Располагается в коллекциях:Вестник науки Сибири

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
273.pdf979,95 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.