Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/16111
Название: Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Авторы: Олешко, Владимир Иванович
Садуова, Б. К.
Ли Фэй
Ли Цзысюань
Ключевые слова: дислокации; люминесценция; эпитаксиальные слои
Дата публикации: 2015
Библиографическое описание: Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN / В. И. Олешко [и др.] // Высокие технологии в современной науке и технике : сборник научных трудов IV Международной научно-технической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов, г. Томск, 21-24 апреля 2015 г. — Томск : Изд-во ТПУ, 2015. — [С. 202-206].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/16111
Располагается в коллекциях:Материалы конференций

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
conference_tpu-2015-C17-054.pdf378,72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.