Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2045
Название: Исследование радиационно-фотоэлектрических процессов в примесном кремнии при облучении быстрыми электронами в условиях глубокого охлаждения
Авторы: Зыков, Владимир Михайлович
Киселёв, А. Н.
Ключевые слова: примесный кремний; фотоэлектрические процессы; облучение; электроны; быстрые электроны; охлаждение; глубокое охлаждение; космическое пространство; фоторезисторы; примесные фоторезисторы; ионизирующее излучение
Дата публикации: 2008
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Зыков В. М. Исследование радиационно-фотоэлектрических процессов в примесном кремнии при облучении быстрыми электронами в условиях глубокого охлаждения / В. М. Зыков, А. Н. Киселёв // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2008. — Т. 312, № 2 : Математика и механика. Физика. Приложение: Неразрушающий контроль и диагностика. — [С. 63-75].
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2045
ISSN: 1684-8519
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2008-312-2app-13.pdf12,59 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.