Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2671
Title: Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения)
Authors: Чернов, Иван Петрович
Мамонтов, Аркадий Павлович
Keywords: ионизирующее излучение; малые дозы; влияние; полупроводниковые кристаллы; металлы; сплавы
Issue Date: 2000
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Чернов И. П. Упорядочение структуры кристаллов ионизирующим излучением (эффект малых доз ионизирующего излучения) / И. П. Чернов, А. П. Мамонтов // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 1. — [С. 74-80].
Abstract: Изучено влияние ионизирующего излучения на полупроводниковые кристаллы, металлы и сплавы. Используя методы резерфордовского обратного рассеяния каналированных заряженных частиц, электронной микроскопии, рентгеноструктурного анализа, калориметрии, установлено, что облучение гамма-квантами или электронами экспозиционной дозой менее 105 Дж/кг полупроводников, металлов и сплавов приводит не к накоплению дефектов, а наоборот, к их устранению и переводу материала в более равновесное состояние по сравнению с исходным состоянием. Показано, что ионизационные процессы играют определяющую роль в процессе перестройки дефектов кристаллической решетки материалов, обладающих как полупроводниковой, так и металлической проводимостью. Установлено, что перестройка структуры кристалла происходит за счет освобождения запасенной в кристалле энергии в результате цепных реакций аннигиляции дефектов, инициированных ионизацией. Переход кристалла в равновесное состояние сопровождается улучшением его физических свойств.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2671
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2000-303-1-07.pdf949,29 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.