Анализ эффективности светодиодных источников света

Abstract

Одной из основных проблем в создании мощных светодиодных источников света является падение эффективности светодиодов с ростом плотности прямого тока. Этот эффект привлекал к себе внимание уже давно и первоначально связывался с уменьшением сечения захвата электронов в квантовую яму, а именно - с пролетом электронов над квантовой ямой. Например, утечка тока по структурным дефектам, Оже- рекомбинация, влияние встроенных пьезоэлектрических полей в квантовой яме. Однако до сих пор остается неясным, насколько значителен вклад каждого из предложенных механизмов в падение эффективности. Работа посвящена исследованию возможных физических механизмов зависимости световой отдачи светодиодов от внешних воздействующих факторов: тока накачки, температуры, сопротивления растекания.

One of the major problems in the creation of high-power LED light source is a drop in the efficiency of LEDs with an increase in forward current density. This effect has attracted attention for a long time and was originally associated with a decrease in the electron capture cross section of the quantum well, namely - with electrons flying over the quantum well. For example, current leakage on structural defects, Auger recombination, the impact of embedded piezoelectric fields in the quantum well. But so far, it is unclear how significant the contribution of each of the proposed mechanisms for the effectiveness of the fall. The work is devoted to investigation of possible physical mechanisms depending on the luminous efficacy of LEDs from external influencing factors: the pump current, temperature, spreading resistance.