Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/29387
Название: Металлизация поверхности керамики В4С комбинированным электронно-ионно-плазменным методом
Авторы: Жакипбекова, Арайлым Сериккызы
Научный руководитель: Иванов, Юрий Федорович
Ключевые слова: B4C-керамика; Металлизация; Пленка/подложка; Интенсивный электронный пучок; Модификация структуры и свойств.; Титан; Медь; B4C-ceramics; Metallization; Film / substrate; Intense electron beam; Modification of structure and properties; Titanium; Copper
Дата публикации: 2016
Библиографическое описание: Жакипбекова А. С. Металлизация поверхности керамики В4С комбинированным электронно-ионно-плазменным методом : дипломный проект / А. С. Жакипбекова ; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт физики высоких технологий (ИФВТ), Кафедра наноматериалов и нанотехнологий (НМНТ) ; науч. рук. Ю. Ф. Иванов. — Томск, 2016.
Аннотация: Объектом исследования является керамика В4С с металлизированной поверхностью. Цель работы – исследование структуры и свойств систем «пленка (Ti)/(В4С-керамика) подложка» и «пленка (Cu)/(В4С-керамика) подложка», обработанных интенсивным импульсным электронным пучком. В процессе исследования проводились рентгенофазовые исследование; исследование поверхности и излома образцов методом сканирующей электронной микроскопии; исследование микротвердости и коэффициента вязкости разрушения образов. В результате исследования установлено формированию в поверхностном слое толщиной (5-7) мкм многофазной структуры эвтектического типа, состоящей из кристаллитов карбида бора, диборида титана и титана; снижение микротвердости модифицированных образцов керамики Ti/В4С в ≈1,2 раза относительно микротвёрдости исходных образцов. Основные конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики: температура разложения >2450 °C; плотность 2,52 г/см³; теплопроводность 121 Вт/(мК) при 300 °К; микротвёрдость 49,1 ГПа; модуль упругости 450 ГПа; полупроводник p-типа.
The object of the research is B4C ceramics with metallized surface. Objective - to study the structure and properties of systems "film (Ti) / (B4C-ceramic) substrate" and "film (Cu) / (B4C-ceramic) substrate" treated with intense pulsed electron beam. The study carried out X-ray phase study; study the surface and break the samples by scanning electron microscopy; study of microhardness and fracture toughness ratio images. The study showed the formation of a surface layer (5-7) m multiphase eutectic structure consisting of crystallites of boron carbide, titanium diboride, and titanium; decrease in microhardness modified ceramic samples Ti / B4C in ≈1,2 times the microhardness of the initial samples. The basic constructive, technological and technical and operational characteristics: the decomposition temperature of> 2450 ° C; density 2.52 g / cm³; thermal conductivity of 121 W / (mK) at 300 ° K; microhardness 49.1 GPa; modulus 450 GPa; p-type semiconductor.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/29387
Располагается в коллекциях:ВКР

Файлы этого ресурса:
Файл РазмерФормат 
TPU190974.pdf4,1 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.