Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2948| Название: | Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах |
| Авторы: | Лисицын, Виктор Михайлович |
| Ключевые слова: | ионные кристаллы; первичная дефектность; образование; эволюция; релаксационные процессы; доминирующие факторы; физические модели; математические модели; численное моделирование; анализ; результаты |
| Дата публикации: | 2000 |
| Издатель: | Томский политехнический университет |
| Библиографическое описание: | Лисицын В. М. Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах / В. М. Лисицын // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 7-25]. |
| Аннотация: | Изложены представления о совокупности процессов образования и эволюции первичных дефектов, созданных при распаде электронных возбуждений в ионных кристаллах. Представлены основные результаты известных экспериментальных исследований структуры первичных дефектов, эффективности их образования, кинетики разрушения после создания. Описаны физические и математические модели образования и релаксации первичной дефектности. Приведен анализ результатов численного моделирования первичных процессов с целью выявления доминирующих факторов, определяющих релаксационные процессы. |
| URI: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2948 |
| Располагается в коллекциях: | Известия Томского политехнического университета. Инжиниринг георесурсов |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| bulletin_tpu-2000-303-2-01.pdf | 3,19 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.