Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2948
Название: Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах
Авторы: Лисицын, Виктор Михайлович
Ключевые слова: ионные кристаллы; первичная дефектность; образование; эволюция; релаксационные процессы; доминирующие факторы; физические модели; математические модели; численное моделирование; анализ; результаты
Дата публикации: 2000
Издатель: Томский политехнический университет
Библиографическое описание: Лисицын В. М. Образование и эволюция первичной дефектности в ионных кристаллах / В. М. Лисицын // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 7-25].
Аннотация: Изложены представления о совокупности процессов образования и эволюции первичных дефектов, созданных при распаде электронных возбуждений в ионных кристаллах. Представлены основные результаты известных экспериментальных исследований структуры первичных дефектов, эффективности их образования, кинетики разрушения после создания. Описаны физические и математические модели образования и релаксации первичной дефектности. Приведен анализ результатов численного моделирования первичных процессов с целью выявления доминирующих факторов, определяющих релаксационные процессы.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/2948
Располагается в коллекциях:Известия ТПУ

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
bulletin_tpu-2000-303-2-01.pdf3,19 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.