Пикосекундная радиационно-индуцированная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа NaCl

Abstract

В работе исследована радиационно-индуцированная проводимость кристаллов KCl, KBr, NaCl при возбуждении пучками электронов (0,2 МэВ, 50 пс) в интервале плотностей возбуждения 100?10000 А/см2 и температурном интервале 12?300 К. Показано, что проводимость обладает пикосекундной инерционностью и связана с термализованными электронами, избежавшими рекомбинации в генетических электронно-дырочных парах. Время жизни и квазистационарная концентрация электронов в зоне проводимости контролируется тремя процессами: во-первых - захватом на дефекты структуры и предварительно накопленные стабильные радиационные дефекты; во-вторых - бимолекулярной рекомбинацией с дырками (Vk-центрами); в-третьих - захватом на нестабильные радиационные дефекты, которые генерируются в момент импульса возбуждения.