Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3048
Title: Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках
Authors: Зыков, В. М.
Keywords: полупроводники; точечные дефекты; методы исследования; электрические методы; релаксационные методы; стационарные методы
Issue Date: 2000
Publisher: Томский политехнический университет
Citation: Зыков В. М. Стационарные и релаксационные электрические методы исследования точечных дефектов в полупроводниках / В. М. Зыков // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2000. — Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии. — [С. 137-161].
Abstract: Рассмотрены физические основы электрических методов исследования точечных дефектов компенсирующего типа в кристаллических полупроводниках. Обсуждаются особенности методов, базирующихся на измерении проводимости (фотопроводимости) в стационарных, нестационарных и квазиравновесных условиях, а также на измерении емкости диодных структур. Большое внимание уделено обоснованию методик определения параметров дефектов на основе их термодинамического описания, уравнений кинетики и критериев, которым подчиняется движение системы дефектов. Показано, что учёт критерия минимума скорости релаксации существенно увеличивает информативность и точность при идентификации параметров дефектов методом изотермической релаксации индуцированной проводимости.
URI: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3048
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2000-303-2-10.pdf3,59 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.