Please use this identifier to cite or link to this item: http://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГрадобоев, Александр Васильевичru
dc.contributor.authorСкаков, М. К.ru
dc.contributor.authorПолицинский, Евгений Валерьевичru
dc.contributor.authorАубакирова, Д. М.ru
dc.date.accessioned2015-11-20T02:56:29Z-
dc.date.available2015-11-20T02:56:29Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationСтойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения / А. В. Градобоев [и др.] // Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. — 2010. — Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика. — [С. 125-129].ru
dc.identifier.issn1684-8519-
dc.identifier.urihttp://earchive.tpu.ru/handle/11683/3068-
dc.description.abstractПредставлены результаты исследования стойкости серийных светоизлучающих диодов ИК-диапазона на основе эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Si, к воздействию одиночных импульсов лазерного излучения с длиной волны 1,06 мкм и длительностью 100 нс, 10 мкс и 1 мс. Показано, что деградация мощности излучения диодов обусловлена проплавлением контакта металл-полупроводник, при этом их стойкость сильно зависит от направления воздействия лазерного излучения. Установлено несколько пороговых значений плотности мощности лазерного излучения: плотность мощности, ниже которой отсутствует деградация диодов, а выше которой наблюдается деградация диодов; плотность мощности, при которой наблюдается полное проплавление контакта металл-полупроводник и плотность мощности, при которой происходит механическое разрушение диодов по плоскости кристалл-кристаллодержатель. Показано, что диаграмма направленности излучения диодов позволяет определить пороговые значения плотности мощности лазерного излучения, падающего под углом к оптической оси диода. Установлено, что режим питания диода не влияет на установленные пороговые плотности мощности лазерного излучения.ru
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoruen
dc.publisherТомский политехнический университетru
dc.relation.ispartofИзвестия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. 2010. Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика-
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen
dc.sourceИзвестия Томского политехнического университета-
dc.subjectимпульсное лазерное излучение-
dc.subjectсветоизлучающие диоды-
dc.subjectэпитаксиальные слои-
dc.subjectGaAs-
dc.subjectконтакт металл-полупроводник-
dc.subjectдиоды-
dc.subjectлазерное излучение-
dc.subjectрезультаты исследований-
dc.titleСтойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излученияru
dc.typeArticleen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersionen
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articleen
dcterms.audienceResearchesen
local.description.firstpage125-
local.description.lastpage129-
local.filepathhttp://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Bulletin_TPU/2010/v316/i2/26.pdf-
local.identifier.bibrecRU\TPU\book\198160-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\24213-
local.identifier.perskeyRU\TPU\pers\24524-
local.issue2-
local.localtypeСтатьяru
local.volume316-
Appears in Collections:Известия ТПУ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
bulletin_tpu-2010-316-2-26.pdf109,14 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.